Nanya и ITRI объединяют усилия в разработке 3D-памяти DRAM

За сравнительно короткий срок технология производства памяти DRAM сделала значительный прогресс, связанный с освоением все более тонких норм техпроцесса. Однако дальнейшее повышение плотности памяти специалисты связывают уже не с уменьшением норм техпроцесса, а с освоением технологии объемной компоновки. Тайваньская компания Nanya Technology намерена вести разработки в этой области совместно с институтом Industrial Technology Research Institute (ITRI), финансируемым государством.

Объединив свой опыт в области технологии полупроводникового производства с разработками ITRI, относящимися к изготовлению чипов из 300-миллиметровых пластин с использованием технологии межслойных связей (TSV), компания Nanya надеется начать поставки готовой продукции в текущем году. Пока речь идет о небольших партиях микросхем DRAM большого объема.

Совместный проект Nanya и ITRI по выпуску 3D-памяти типа DRAM получил государственную субсидию. Ее сумма не разглашается, но, по неофициальным данным, это примерно 40% от стоимости проекта, оцениваемого Nanya в 3,4-4,1 миллиона долларов.