Samsung начинает серийный выпуск чипов LPDDR2 плотностью 4 Гбит «30-нанометрового класса»

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска первых в мире чипов памяти LPDDR2 DRAM плотностью 4 Гбит, изготавливаемых по нормам 30-нанометрового класса.

Эта память предназначена для мобильных устройств, включая смартфоны и планшеты. Ее пониженное энергопотребление положительно сказывается на времени автономной работы, а высокое быстродействие — на производительности систем. Скорость передачи информации составляет 1066 Мбит/с, что существенно превосходит показатель применяемой сегодня памяти MDDR, равный 333-400 Мбит/с.

О разработке чипов LPDDR2 DRAM плотностью 4 Гбит южнокорейская компания сообщила в минувшем декабре, когда были готовы их ознакомительные образцы.

Теперь микросхему объемом 1 ГБ можно получить, используя лишь два чипа, а не четыре, как это было в случае с чипами плотностью 2 Гбит. В результате уменьшается толщина корпуса (на 20%, с 1,0 до 0,8 мм) и снижается энергопотребление — на 25%.

Микросхемы объемом 1 ГБ компания начала поставлять в этом месяце, а микросхемы объемом 2 ГБ планирует начать поставлять в апреле.