У Hynix готовы микросхемы и модули памяти DDR4

О разработке микросхем памяти DDR4 плотностью 2 Гбит и основанных на них модулей памяти ECC-SODIMM объемом 2 ГБ объявила компания Hynix Semiconductor (Hynix).

Упомянутая память выпускается по технологии 30-нанометрового класса. Новые модули DRAM DDR4 соответствуют требованиям стандарта JEDEC и предназначены для компактных серверов.

Модули потребляют меньше электроэнергии и передают данные со скоростью, вдвое превышающей скорость DDR3. Более того, заявленная производителем скорость передачи — 2400 Мбит/с — является рекордной для отрасли и на 80% превышает скорость памяти DDR3-1333. По 64-разрядной шине модули передают 19,2 ГБ данных в секунду. Они рассчитаны на работу при напряжении питания 1,2 В.

Серийный выпуск микросхем и модулей DDR4 компания Hynix планирует начать во второй половине 2012 года.